在全球化竞争与国产化替代浪潮交汇的关键时期，中国半导体产业正经历从跟跑到并跑、乃至局部领跑的历史性转变。江苏长晶科技股份有限公司自创立以来，便将自主创新深植于发展基因，以坚实的技术突破和系统的产业布局，在功率半导体这一核心赛道中稳步崛起，不仅实现了关键产品的进口替代，更在国际技术前沿不断发出中国声音。

创新是长晶科技发展的核心引擎。公司始终坚信，唯有掌握底层核心技术，才能在激烈的市场竞争中赢得主动与尊重。为此，长晶科技构建了强大的研发体系，持续投入资源，汇聚了超过三百人的专业研发团队。这支团队是公司技术攻坚的中坚力量，他们在SGT MOSFET、超结MOSFET、IGBT及第三代半导体等关键领域持续深耕。截至2025年底，公司已累计获得授权专利247件，集成电路布图设计专有权130件，形成了丰硕的知识产权成果，为持续创新构筑了坚实的护城河。

深厚的技术积累最终体现为具有国际竞争力的产品。在MOSFET领域，长晶科技不断迭代升级。例如，其新一代SGT 30V MOSFET产品，基于SGT Gen2.0工艺，在30V电压平台实现了Fom值较上一代降低50%，Rsp值降低41.6%的显著进步，性能达到国际一线厂商水平。该系列产品在PC电源等应用中，展现出更低的系统损耗与温升，提升了整机能效与可靠性。这些技术进步，正是长晶科技产品能够精准解决各行业能效与可靠性痛点的底层支撑。

而在标志电力电子技术水平的IGBT领域，长晶科技的突破更具战略意义。公司自主研发并推出的FST 3.0 IGBT产品，采用了先进的微沟槽栅与场终止技术，在通态损耗和开关损耗等核心性能上实现了优化。这款产品的成功推出，不仅打破了国外企业在高端IGBT市场的长期垄断，更为光伏储能、新能源汽车充电等关键领域的国产化替代提供了高性能、自主可控的核心部件选择。

技术优势需要完整的产业能力来承接与放大。长晶科技深刻理解这一点，并成功完成了从芯片设计公司到垂直整合制造模式的战略转型。通过收购晶圆制造厂与自建封测基地，公司构建了从芯片设计、晶圆制造到封装测试的完整产业链。这一布局不仅保障了供应链的自主可控与稳定安全，更使得公司能够快速响应市场需求，协同优化产品性能与成本，将技术创新高效转化为市场优势。

市场的广泛认可与成功应用，是检验创新价值的最终标准。长晶科技的产品已全面进入消费电子、工业控制、汽车电子和新能源等主流市场。其IGBT产品在光伏逆变器中提升能量转换效率，在新能源汽车的电驱系统中助力延长续航里程。公司的车规级功率MOSFET产品已累计量产超百款，逻辑IC产品量产达四百款，显示出强大的产品化与市场化能力。正是凭借这些扎实的成绩，长晶科技连续多年获评“中国半导体行业功率器件十强企业”，并荣获国家专精特新小巨人企业、中国汽车芯片优秀供应商等一系列权威认定。

展望未来，面对全球能源转型与智能化变革带来的历史性机遇，长晶科技将继续锚定创造世界一流半导体品牌的愿景。公司将继续深耕功率半导体主航道，在第三代半导体等前沿领域加大探索，同时深化与新能源汽车、清洁能源、工业自动化等战略客户的合作。通过持续的技术创新与稳健的产业扩张，长晶科技不仅致力于实现企业自身的高质量发展，更志在为中国半导体产业的整体崛起与全球竞争力的提升贡献不可或缺的芯力量。(广告)